Thiết bị quang phổ (OES) phân tích hợp kim để bàn & Model OE750

Máy phân tích hợp kim Sử dụng cho phòng thí nghiệm với độ chính xác rất cao. Máy phân tích thép có dải bước sóng phân tích rất rộng: 116 – 766 nm (Dải nguyên tố từ H - U)

Máy phân tích thành phần hợp kim  đang được  các doanh nghiệp và các tổ chức hoạt động trong lĩnh vực Đúc kim loại và cơ khí sử dụng ngày càng nhiều hơn để  giám sát  thành phần hóa học  của các nguyên tố trong kim loại.

Khác với các dòng máy tương tự của các hãng sản xuất khác,  thiết bị của hãng Hitachi high-tech sử dụng nhiều công nghệ vượt trội như sử dụng cảm biến CMOS, công nghệ Jet- stream, auto profiling…

• Máy quang phổ phân tích hợp kim OE750 là dòng thiết bị phân tích thành phần kim loại có độ chính xác cao trong phòng thí nghiệm. Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon. Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau. Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
• Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường. Hơn thế nữa máy quang phổ phân tích hợp kim OE750 sử dụng công nghệ Jet-stream-Technology bao phủ hiệu quả điện cực và mẫu trong giá kẹp mẫu với 1 dòng khí argon, giúp hệ thống đạt được 2 lợi thế:
  • Tiêu hao khí argon rất ít, giảm chi phí vận hành xuống mức tối thiểu
  • Không cần phải làm kín các mặt hở của giá thử cho phép đặt mẫu phân tích dạng ống, thanh, dây trên giá thử một cách dễ dàng. Việc này cho phép giảm tối đa thời gian chuẩn bị mẫu.
• Phần mềm GRADE Database có 12 triệu tên gọi của 339,000 loại vật liệu từ 69 quốc gia và vùng lãnh thổ.

• Máy chính
  Kích thước	435 mm x 760 mm x  535mm (WxDxH)
  Nguồn điện	100-250 VAC (50/60 Hz)
  Khối lượng	88kg
  Công suất tiêu thụ trung bình	Máy chính 430W
  Công suất tiêu thụ chế độ chờ	45W (50W Source on)
  Khí Argon
  Độ tinh khiết	Min 4.8
  Áp lực	3 Bar
  Hệ thống quang học
  Hệ quang học	Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học.
  Dải bước sóng phân tích	116– 766 nm
  Cảm biến	Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa.
  Độ phân giải CCD	7 pico-meter
  Độ tương phản
  Tiêu cự	400 mm
  Mật độ rãnh
  Hệ thống chân không	Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm. Kết nối qua Shut-off- valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học
  Bộ phát plasma	Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn Cài đặt các thông số bằng phần mềm Tần số: 80 – 500 Hz Điện áp: 250- 500 V
  Bộ giá kẹp mẫu	Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau.
  Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố	C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm;

• Quan hệ: Mr Bình- 0944.678.213 ( thanhbinh@quochuy.com)

Sản phẩm doanh nghiệp: Công ty TNHH Kỹ Thuật Quốc Huy