IGBT FP25R12W2T4 Infineon

Cấu tạo IGBT FP25R12W2T4 Infineon

• Có 2 đầu dây vào hay thường được ký hiệu là Input song song.
• Với đó là 2 đầu dây ra hay còn gọi là output nhưng điểm khác nhau của mọi dòng là điện áp chịu tải. 
• Đối với thiết bị này chủ yếu được lắp ráp cho đường dây 1 pha điện.
• Các đấu dây điện chủ yếu từ thép cứng – bao bọc vỏ ngoài bằng một lớp sứ g.
• Trên thiết bị có đóng dấu các thông số kỹ thuật ở mặt bên thiết bị.

Nguyên lý hoạt động IGBT FP25R12W2T4 Infineon

• IGBT trải qua 2 giai đoạn đó là T1 và T2 điện áp giữa cực điều khiển. Giữ nguyên Uge để duy trì dòng Io, do dòng điều khiển hoàn toàn là dòng phóng tụ Cgc.
• Khi đó dòng i1= 0, nhưng i2 sẽ không yếu đi được do lượng điện tích lũy. Trong phân lớp thiết bị bán dẫn p-n-p chỉ mất đi do quá trình tự trung hòa.
• Cách mở là quá trình khi điện áp điều khiển vào tăng tử 0 cho đến giá trị Ug.
• Trong thời gian trễ khi mở Io tín hiệu điều khiển nạp điện cho tụ Cgc làm điện áp.
• Giữa cực điều khiển và emite tăng theo hàm mũ từ 0 đến với giá trị Uge(~ 4v).
• Ở giai đoạn 1 thì sẽ có những tuần tự ở trên.
• Sang giai đoạn 2 là quá trình giảm điện trở trong colecto. Dẫn đến điện trở về đến giá trị Ron khi bão hòa hoàn toàn khi đó hệ số Uce bằng với IoRon.

Ứng dụng IGBT FP25R12W2T4 Infineon

• Thiết bị này được dùng để cấu tạo nên các dòng máy như. Máy công nghiệp, máy công trình, máy hàn. 
• Sử dụng trong các lò nấu đồng, lò tôi cao tần.
• Dùng trong máy cắt Plasma, máy biến tần.

Sản phẩm doanh nghiệp: CÔNG TY TNHH TM KỸ THUẬT SEMITECH